Ссылка на кабинет: 1272
Тип проекта: Научно-исследовательская работа
Статус проекта: В работе с 16.09.2022
Расчёт уровней Ландау на поверхности трёхмерного топоголического изолятора при наличии беспорядка и с учётом гексагонального искажения поверхности Ферми.
В ходе выполнения проекта планируется получить пространственное распределение электронной плотности состояний на поверхности топологического изолятора в двух случаях: при отсутствии дефектов на поверхности, а также при наличии конечного числа дефектов. Более того, планируется изучить эффект гексагонального искажения поверхности Ферми топологического изолятора. Наиболее значимым будет получение свидетельства "пересечения" уровней Ландау на локальной плотности состояний в системе при конечном беспорядке (наблюдался экспериментально). Такой эффект возможен вследствие неоднородности точки Дирака в пространстве за счет наличия дефектов (беспорядка).
| Васенко Андрей Сергеевич | Карабасов Тайржан |
|---|---|
| департамент электронной инженерии | ММПН181 |
| Руководитель проекта, Инициатор проекта | Консультант |
| avasenko@miem.hse.ru | tikarabasov@miem.hse.ru |
| Амиров Эмир Шаиг оглы | Брицын Артём Константинович |
|---|---|
| БПМ202 | БИТ191 |
| исследователь | исследователь |
| eshamirov@edu.hse.ru | akbritsyn@miem.hse.ru |